Ру
EnСтатья в газете "Наука в Сибири" - "Сибирские ученые моделируют свойства диэлектриков для приборов памяти"
Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН моделируют электронную и атомную структуру, а также дефекты в диэлектриках, используемых в работе приборов резистивной и сегнетоэлектрической памяти. Это позволяет сохранять информацию на вычислительном устройстве длительное время при его отключении от питания, что делает память энергонезависимой. В будущем результаты работы новосибирских ученых могут быть использованы для создания новых универсальных видов памяти.