Заседание семинара "Методы Монте-Карло в вычислительной математике и математической физике" 06.10.2016 в 10-30. "Стохастическое моделирование эпитаксиального роста нановискеров", Сабельфельд К.К.

К.К. Сабельфельд, Е.Г. Каблукова.
"Стохастическое моделирование эпитаксиального роста нановискеров"
  В работе предложена стохастическая модель роста нановискеров методом молекулярно-лучевой эпитаксии на основе вероятностных механизмов поверхостной диффузии, взаимного затенения, перерассеяния адатомов и вероятности выживания. На основе данной модели построен алгоритм прямого моделирования, позволивший численно исследовать кинетику роста нановискеров с начального распределения высот от десятков нанометров до высот порядка нескольких тысяч нанометров, при этом временной диапазон соответствует экспериментальному выращиванию нановискеров вплоть до 3-4 часов. В данной работе нами сформулировано  утверждение, получившее подтверждение в расчетах: при определенных условиях, вполне реализуемых в реальных экспериментах,  распределение по высотам сужается, то есть в ансамбле нановискеров высоты со временем все более выравниваются. Для этого необходимо, чтобы начальное распределение по радиусам было узким, а плотность заполнения была не очень высокой.