Stochastic simulation of GaN island formation in molecular beam epitaxy

Авторы: 
Kireev S.E.
Sabelfeld K.K.
Тип публикации: 
Публикации в материалах научных мероприятий
Вхождение в реферативные базы данных: 
Не входит в реферативные базы данных
Год выхода: 
2020
Выходные данные: 
Kireev S.E., Sabelfeld K.K. Stochastic simulation of GaN island formation in molecular beam epitaxy // Марчуковские научные чтения 2020 : Тезисы Междунар. конф., посв. 95-летию со дня рождения акад. Г. И. Марчука Новосибирск, 19-23 октября 2020 г. / Ин-т вычислит. математики и матем. геофизики СО РАН. – Новосибирск : ИПЦ НГУ, 2020. С. 42. DOI: 10.24411/9999-017A-2020-10075
Сотрудник ИВМиМГ: 
Киреев Сергей Евгеньевич
Сабельфельд Карл Карлович