Stochastic simulation of bimolecular reactions in vicinity of traps and applications to electron–hole recombination in 2D and 3D inhomogeneous semiconductors
Тип публикации:
Публикации в рецензируемых журналах
Вхождение в реферативные базы данных:
Scopus
Год выхода:
2017
Выходные данные:
Journal of Computational Electronics, Volume 16, Issue 2, pp 325–339. DOI: 10.1007/s10825-017-0961-3
Сотрудник ИВМиМГ: