Hall Effect in Strong Electric Fields in AlGaAs/InGaAs/GaAs Heterostructures with Donor-Acceptor Doping
Тип публикации:
Публикации в материалах научных мероприятий
Вхождение в реферативные базы данных:
Scopus
Год выхода:
2023
Выходные данные:
International Conference of Young Specialists on Micro/ Nanotechnologies and Electron Devices, EDM, 2023, pp. 90–93. DOI: 10.1109/EDM58354.2023.10225239
Сотрудник ИВМиМГ: