Determination of the carrier diffusion length in GaN from cathodoluminescence maps around threading dislocations: fallacies and opportunities

Авторы: 
Kaganer, V. M.
Laehnemann, J.
Pfueller, C.
Sabelfeld, K. K.
Kireeva, A. E.
Brandt, O.
Тип публикации: 
Публикации в рецензируемых журналах
Вхождение в реферативные базы данных: 
WoS
Год выхода: 
2019
Выходные данные: 
Kaganer, V. M., Laehnemann, J., Pfueller, C., Sabelfeld, K. K., Kireeva, A. E., Brandt, O. Determination of the carrier diffusion length in GaN from cathodoluminescence maps around threading dislocations: fallacies and opportunities // Phys. Rev. Appl. 2019. V. 12, iss. 5. 054023. DOI: 10.1103/PhysRevApplied.12.054038.