Stochastic simulation of GaN nanowire growth in plasma-assisted molecular beam epitaxy in vicinity of nucleation and bundling

Авторы: 
K. K. Sabelfeld, E. G. Kablukova
Сотрудник ИВМиМГ: 
Сабельфельд Карл Карлович
Каблукова Евгения Геннадьевна
Название мероприятия: 
Международная конференция по Вычислительной и прикладной математике (ВПМ’17) в рамках «Марчуковских научных чтений»
Тип мероприятия: 
Международная конференция
Статус доклада: 
Секционный
Год: 
2017
Место и дата проведения: 
Новосибирск, Академгородок, 2017